METHOD FOR EPITAXIAL ACCRETION OF GALLIUM-ARSENIDE LAYERS ON SILICON SUBSTRATES AND DEVICE FOR IMPLEMENTATION OF SAID METHOD

FIELD: optical electronics. SUBSTANCE: method involves preparation of unsaturated solution-fusion of gallium arsenide in tin. Resulted solution-fusion contacts substrate which temperature is greater than or equal to temperature of solution-fusion. Composition substrate-liquid is cooled from side of substrate with rate 10-10C/c temperature range is 200-500 C. Optimal relationship of saturation level of liquid solution-fusion and other characteristics of crystal accretion are found in experiment. Design of corresponding device provides cooling the composition substrate-liquid by heat removal from substrate side when it moves along cool surface and speed of movement decreases as rate of temperature. Housing of device has two parallel joint plates with possibility to change space between them. Unit for fixation of substrate has two parallel plates with holes for entry for solution-fusion. This unit is mounted on housing plates for longitudinal movement. Design of unit provides possibility to change space between plates of this unit according to width of substrate. EFFECT: facilitated accretion, high replication of results, facilitated use. 1 dwg Изобретение может быть использовано при получении приборных гетероструктур для микро- и оптоэлектроники. Сущность: для проведения эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия на кремниевых подножках приготовляют ненасыщенный раствор-расплав арсенида галлия в олове. Полученный раствор-расплав приводят в контакт с подложкой, исходная температура которой по крайней мере не ниже температуры раствора-расплава. Затем осуществляют охлаждение композиции подложка - жидкая фаза со стороны подложки с скоростью 10- 10 С/с в интервале температур из диапазона 200 - 500С. Экспериментальным путем найдены оптимальные соотношения величины недосыщения жидкой фазы с остальными параметрами процесса наращивания, обеспечивающие улучшение монокристалличности и планарности наращиваемых слоев. Для реализации способа разработана конструкция устройства, обеспечивающая охлаждение композиции подложка - жидкая фаза отводом тепла через подложку при ее перемещении вдоль холодной поверхности с линейно убывающей температурой. Корпус устройства из двух скрепленных параллельно пластин предусматривает возможность изменения зазора между ними. Узел для закрепления подложки из двух параллельных пластин с отверстиями для введения раствора-расплава установлен на пластинах корпуса с возможностью продольного перемещения и предусматривает изменение расстояния