INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	GASHTOLD VLADIMIR N,SU, KOLKER BORIS I,SU
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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