SUPERCONDUCTING CURRENT CHANGE-OVER SWITCH

FIELD: electrical engineering. SUBSTANCE: superconducting current change-over switch has key element carrying pair of current contacts electrically connected to current source and potential contacts located between them, load linked to them and source of changing-over magnetic field acting on materi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: VOLKOV A.JU
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: electrical engineering. SUBSTANCE: superconducting current change-over switch has key element carrying pair of current contacts electrically connected to current source and potential contacts located between them, load linked to them and source of changing-over magnetic field acting on material of key element in area between potential contacts. It is proposed to use key element produced from polycrystalline superconducting ceramics formed by anisotropic monocrystals with orientation of their crystallographic directions in parallel to acting magnetic field. Intensity of critical magnetic field has minimal value along these crystallographic directions. EFFECT: increased reliability of switch. 1 dwg Использование: сверхпроводящие ключи многократного действия, а также для коммутации токов из одной цепи в другую. Сущность изобретения: в сверхпроводящем переключателе тока, содержащем ключевой элемент с размещенной на нем парой токовых контактов, электрически соединенных с источником тока и с расположенными между ними потенциальными контактами, к которым подключена нагрузка, а также источник переключающего магнитного поля, действующего на материал ключевого элемента в области между потенциальными контактами, предлагается использовать ключевой элемент, выполненный из поликристаллической сверхпроводящей керамики, образованной анизотропными монокристаллами с параллельной действующему магнитному полю преимущественной ориентацией их кристаллографических направлений, вдоль которых напряженность критического магнитного поля имеет минимальное значение. 1 ил.