DIAMOND MONOCRYSTAL SYNTHESIS METHOD
FIELD: technique of making large size monocrystals of diamond. SUBSTANCE: method comprises steps of assembling a growing cell by using as its main components a carbon dissolver, being an alloy (сплав FeNiC); a carbon source, being diamond grains with size no less, than 100 micrometers, impregnated b...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
container_end_page | |
---|---|
container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | Belousov I.S Zanevskij O.A Vitjuk V.I Ivakhnenko S.A Chipenko G.V |
description | FIELD: technique of making large size monocrystals of diamond. SUBSTANCE: method comprises steps of assembling a growing cell by using as its main components a carbon dissolver, being an alloy (сплав FeNiC); a carbon source, being diamond grains with size no less, than 100 micrometers, impregnated by nickel in vacuum at 1773 K; a seed system, being five seeds, oriented by their cubic face towards the dissolver, and a barrier layer, separating the seed system from the dissolving alloy, placing such cell to a high pressure apparatus and providing necessary pressure and temperature in it. Parameters of thermobaric curing being 5,9 GPa and 1673 K respectively; time interval of curing 12 hours. After curing the heating source is being deenergized, and grown diamond crystals, having yellow lemon color and dimension 1.3-15 mm, are being removed from the cell for growing crystals by chemical treatment way. Heat conductance of diamond monocrystals, had been grown, consists 1600-1800 Wt(mK); heat resistance (1673-1773)K. EFFECT: increased heat conductance and heat resistance of diamond monocrystals. 3 cl, 1 tbl
Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, в качестве основных компонентов которой берут растворитель углерода (сплав FeNiC) источник углерода алмазные зерна размеров не менее 100 мкм, пропитанные никелем в вакууме при 1773 К, затравочную систему 5 затравок, ориентированных к растоврителю кубической гранью, и барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя. После этого растовую ячейку помещают в аппарат высокого давления и создают в нем необходимое давление и температуру. Параметры термобарической выдержки составляют 5,9 ГПа и 1673 К. Время выдержки 12 ч. По окончании выдержки выключают нагрев и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы алмаза желто-лимонного цвета с размером 1,3 1,5 мм. Теплопроводность полученных монокристаллов алмаза 1600 1800 Вт (м К), термостойкость 1673 1773 К. 2 з.п.ф-лы, 1 табл. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_SU1655080A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>SU1655080A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_SU1655080A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFBx8XT09fdzUQAS_s5BkcEhjj4KwZF-IR6uwZ7BCr6uIR7-LjwMrGmJOcWpvFCam0HBzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JD441NDM1NTAwsDR0JgIJQBfKCMN</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>DIAMOND MONOCRYSTAL SYNTHESIS METHOD</title><source>esp@cenet</source><creator>Belousov I.S ; Zanevskij O.A ; Vitjuk V.I ; Ivakhnenko S.A ; Chipenko G.V</creator><creatorcontrib>Belousov I.S ; Zanevskij O.A ; Vitjuk V.I ; Ivakhnenko S.A ; Chipenko G.V</creatorcontrib><description>FIELD: technique of making large size monocrystals of diamond. SUBSTANCE: method comprises steps of assembling a growing cell by using as its main components a carbon dissolver, being an alloy (сплав FeNiC); a carbon source, being diamond grains with size no less, than 100 micrometers, impregnated by nickel in vacuum at 1773 K; a seed system, being five seeds, oriented by their cubic face towards the dissolver, and a barrier layer, separating the seed system from the dissolving alloy, placing such cell to a high pressure apparatus and providing necessary pressure and temperature in it. Parameters of thermobaric curing being 5,9 GPa and 1673 K respectively; time interval of curing 12 hours. After curing the heating source is being deenergized, and grown diamond crystals, having yellow lemon color and dimension 1.3-15 mm, are being removed from the cell for growing crystals by chemical treatment way. Heat conductance of diamond monocrystals, had been grown, consists 1600-1800 Wt(mK); heat resistance (1673-1773)K. EFFECT: increased heat conductance and heat resistance of diamond monocrystals. 3 cl, 1 tbl
Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, в качестве основных компонентов которой берут растворитель углерода (сплав FeNiC) источник углерода алмазные зерна размеров не менее 100 мкм, пропитанные никелем в вакууме при 1773 К, затравочную систему 5 затравок, ориентированных к растоврителю кубической гранью, и барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя. После этого растовую ячейку помещают в аппарат высокого давления и создают в нем необходимое давление и температуру. Параметры термобарической выдержки составляют 5,9 ГПа и 1673 К. Время выдержки 12 ч. По окончании выдержки выключают нагрев и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы алмаза желто-лимонного цвета с размером 1,3 1,5 мм. Теплопроводность полученных монокристаллов алмаза 1600 1800 Вт (м К), термостойкость 1673 1773 К. 2 з.п.ф-лы, 1 табл.</description><language>eng ; rus</language><subject>CHEMISTRY ; COMPOUNDS THEREOF ; INORGANIC CHEMISTRY ; METALLURGY ; NON-METALLIC ELEMENTS</subject><creationdate>1995</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19950910&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1655080A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19950910&DB=EPODOC&CC=SU&NR=1655080A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Belousov I.S</creatorcontrib><creatorcontrib>Zanevskij O.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Vitjuk V.I</creatorcontrib><creatorcontrib>Ivakhnenko S.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Chipenko G.V</creatorcontrib><title>DIAMOND MONOCRYSTAL SYNTHESIS METHOD</title><description>FIELD: technique of making large size monocrystals of diamond. SUBSTANCE: method comprises steps of assembling a growing cell by using as its main components a carbon dissolver, being an alloy (сплав FeNiC); a carbon source, being diamond grains with size no less, than 100 micrometers, impregnated by nickel in vacuum at 1773 K; a seed system, being five seeds, oriented by their cubic face towards the dissolver, and a barrier layer, separating the seed system from the dissolving alloy, placing such cell to a high pressure apparatus and providing necessary pressure and temperature in it. Parameters of thermobaric curing being 5,9 GPa and 1673 K respectively; time interval of curing 12 hours. After curing the heating source is being deenergized, and grown diamond crystals, having yellow lemon color and dimension 1.3-15 mm, are being removed from the cell for growing crystals by chemical treatment way. Heat conductance of diamond monocrystals, had been grown, consists 1600-1800 Wt(mK); heat resistance (1673-1773)K. EFFECT: increased heat conductance and heat resistance of diamond monocrystals. 3 cl, 1 tbl
Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, в качестве основных компонентов которой берут растворитель углерода (сплав FeNiC) источник углерода алмазные зерна размеров не менее 100 мкм, пропитанные никелем в вакууме при 1773 К, затравочную систему 5 затравок, ориентированных к растоврителю кубической гранью, и барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя. После этого растовую ячейку помещают в аппарат высокого давления и создают в нем необходимое давление и температуру. Параметры термобарической выдержки составляют 5,9 ГПа и 1673 К. Время выдержки 12 ч. По окончании выдержки выключают нагрев и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы алмаза желто-лимонного цвета с размером 1,3 1,5 мм. Теплопроводность полученных монокристаллов алмаза 1600 1800 Вт (м К), термостойкость 1673 1773 К. 2 з.п.ф-лы, 1 табл.</description><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COMPOUNDS THEREOF</subject><subject>INORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>NON-METALLIC ELEMENTS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1995</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFBx8XT09fdzUQAS_s5BkcEhjj4KwZF-IR6uwZ7BCr6uIR7-LjwMrGmJOcWpvFCam0HBzTXE2UM3tSA_PrW4IDE5NS-1JD441NDM1NTAwsDR0JgIJQBfKCMN</recordid><startdate>19950910</startdate><enddate>19950910</enddate><creator>Belousov I.S</creator><creator>Zanevskij O.A</creator><creator>Vitjuk V.I</creator><creator>Ivakhnenko S.A</creator><creator>Chipenko G.V</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19950910</creationdate><title>DIAMOND MONOCRYSTAL SYNTHESIS METHOD</title><author>Belousov I.S ; Zanevskij O.A ; Vitjuk V.I ; Ivakhnenko S.A ; Chipenko G.V</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_SU1655080A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1995</creationdate><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COMPOUNDS THEREOF</topic><topic>INORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>NON-METALLIC ELEMENTS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Belousov I.S</creatorcontrib><creatorcontrib>Zanevskij O.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Vitjuk V.I</creatorcontrib><creatorcontrib>Ivakhnenko S.A</creatorcontrib><creatorcontrib>Chipenko G.V</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Belousov I.S</au><au>Zanevskij O.A</au><au>Vitjuk V.I</au><au>Ivakhnenko S.A</au><au>Chipenko G.V</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DIAMOND MONOCRYSTAL SYNTHESIS METHOD</title><date>1995-09-10</date><risdate>1995</risdate><abstract>FIELD: technique of making large size monocrystals of diamond. SUBSTANCE: method comprises steps of assembling a growing cell by using as its main components a carbon dissolver, being an alloy (сплав FeNiC); a carbon source, being diamond grains with size no less, than 100 micrometers, impregnated by nickel in vacuum at 1773 K; a seed system, being five seeds, oriented by their cubic face towards the dissolver, and a barrier layer, separating the seed system from the dissolving alloy, placing such cell to a high pressure apparatus and providing necessary pressure and temperature in it. Parameters of thermobaric curing being 5,9 GPa and 1673 K respectively; time interval of curing 12 hours. After curing the heating source is being deenergized, and grown diamond crystals, having yellow lemon color and dimension 1.3-15 mm, are being removed from the cell for growing crystals by chemical treatment way. Heat conductance of diamond monocrystals, had been grown, consists 1600-1800 Wt(mK); heat resistance (1673-1773)K. EFFECT: increased heat conductance and heat resistance of diamond monocrystals. 3 cl, 1 tbl
Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, в качестве основных компонентов которой берут растворитель углерода (сплав FeNiC) источник углерода алмазные зерна размеров не менее 100 мкм, пропитанные никелем в вакууме при 1773 К, затравочную систему 5 затравок, ориентированных к растоврителю кубической гранью, и барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя. После этого растовую ячейку помещают в аппарат высокого давления и создают в нем необходимое давление и температуру. Параметры термобарической выдержки составляют 5,9 ГПа и 1673 К. Время выдержки 12 ч. По окончании выдержки выключают нагрев и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы алмаза желто-лимонного цвета с размером 1,3 1,5 мм. Теплопроводность полученных монокристаллов алмаза 1600 1800 Вт (м К), термостойкость 1673 1773 К. 2 з.п.ф-лы, 1 табл.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; rus |
recordid | cdi_epo_espacenet_SU1655080A1 |
source | esp@cenet |
subjects | CHEMISTRY COMPOUNDS THEREOF INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS |
title | DIAMOND MONOCRYSTAL SYNTHESIS METHOD |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-12T09%3A36%3A22IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Belousov%20I.S&rft.date=1995-09-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ESU1655080A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |