DIAMOND MONOCRYSTAL SYNTHESIS METHOD
FIELD: technique of making large size monocrystals of diamond. SUBSTANCE: method comprises steps of assembling a growing cell by using as its main components a carbon dissolver, being an alloy (сплав FeNiC); a carbon source, being diamond grains with size no less, than 100 micrometers, impregnated b...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: technique of making large size monocrystals of diamond. SUBSTANCE: method comprises steps of assembling a growing cell by using as its main components a carbon dissolver, being an alloy (сплав FeNiC); a carbon source, being diamond grains with size no less, than 100 micrometers, impregnated by nickel in vacuum at 1773 K; a seed system, being five seeds, oriented by their cubic face towards the dissolver, and a barrier layer, separating the seed system from the dissolving alloy, placing such cell to a high pressure apparatus and providing necessary pressure and temperature in it. Parameters of thermobaric curing being 5,9 GPa and 1673 K respectively; time interval of curing 12 hours. After curing the heating source is being deenergized, and grown diamond crystals, having yellow lemon color and dimension 1.3-15 mm, are being removed from the cell for growing crystals by chemical treatment way. Heat conductance of diamond monocrystals, had been grown, consists 1600-1800 Wt(mK); heat resistance (1673-1773)K. EFFECT: increased heat conductance and heat resistance of diamond monocrystals. 3 cl, 1 tbl
Изобретение относится к технологии получения крупных монокристаллов алмаза, а именно к способу синтеза монокристаллов алмаза на затравках для целей электронной промышленности. Цель изобретения повышение теплопроводности и термостойкости монокристаллов алмаза. Собирают ростовую ячейку, в качестве основных компонентов которой берут растворитель углерода (сплав FeNiC) источник углерода алмазные зерна размеров не менее 100 мкм, пропитанные никелем в вакууме при 1773 К, затравочную систему 5 затравок, ориентированных к растоврителю кубической гранью, и барьерный слой, отделяющий затравочную систему от сплава-растворителя. После этого растовую ячейку помещают в аппарат высокого давления и создают в нем необходимое давление и температуру. Параметры термобарической выдержки составляют 5,9 ГПа и 1673 К. Время выдержки 12 ч. По окончании выдержки выключают нагрев и из ростовой ячейки путем химической обработки извлекают выращенные кристаллы алмаза желто-лимонного цвета с размером 1,3 1,5 мм. Теплопроводность полученных монокристаллов алмаза 1600 1800 Вт (м К), термостойкость 1673 1773 К. 2 з.п.ф-лы, 1 табл. |
---|