INVERTER

FIELD: communication devices, memory units. SUBSTANCE: device has conducting-insulating gallium arsenide substrate 1, first non-doped gallium arsenide layer 2, which thickness isand background concentration of donor doping agent is 10cm, first n-conductance heavily doped layer 3, which thickness isand background concentration of doping agent is 10cm, third non-doped gallium arsenide layer 4, which thickness isand background concentration of doping agent is 10cm, second p-conductance heavily doped layer 5, which thickness isand background concentration of acceptor doping agent is 10cm, second non-doped gallium arsenide layer 6, which thickness isand background concentration of doping agent is 10cm. In addition device has source areas 7 and drain areas 8, which go down to first non-doped are 2. Galvanic coupling 9 and 10 is provided between gates 11 of adjacent transistors having different conductance in areas of sources and drains as well as between drain 8 of one transistor and source 7 of another one. EFFECT: decreased scattered power, decreased variation in characteristics of inverters over surface of crystal. 1 dwg Изобретение может быть использовано в системах связи, в запоминающих системах в качестве ключевого или усилительного элемента. Цель изобретения - уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров инверторов по площади кристалла. Инвертор состоит из полуизолирующей подложки 1 арсенида галлия, первого нелегированного слоя 2 арсенида галлия, толщиной 2000, с фоновой концентрацией примеси донорного типа 10см, первого сильнолегированного слоя 3 n-типа проводимости, толщиной 30, с концентрацией примеси 10смтретьего нелегированного слоя 4 арсенида галлия толщиной 1000с фоновой концентрацией примеси 10см, второго сильнолегированного слоя 5 арсенида галлия р-типа проводимости, толщиной 30, с концентрацией акцепторной примеси 10см, второго нелегированного слоя 6 арсенида галлия, толщиной 600с фоновой концентрацией примеси 10см, из областей истоков 7, стоков 8, простирающихся в глубину вплоть до первого нелегированного слоя 2; между соседними транзисторами с разного типа проводимостью областями истоков и стоков выполнена гальваническая связь 9 и 10, между их затворами 11, а также между стоком одного 8 и истоком другого 7. 1 ил.