METHOD OF IONIC TREATMENT OF ARTICLES

FIELD: gas-discharge electronics. SUBSTANCE: back and target to be sprayed are positioned in a closed space of gas absorber or getter pump which is not sprayed. Prior to ionic treatment in the growth compartment positioned in the getter pump zone the pressure is lowered by two orders from the pressu...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Popov V.F
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: gas-discharge electronics. SUBSTANCE: back and target to be sprayed are positioned in a closed space of gas absorber or getter pump which is not sprayed. Prior to ionic treatment in the growth compartment positioned in the getter pump zone the pressure is lowered by two orders from the pressure in the vacuum chamber. Coatings are applied through spraying the target by a flow of inert gas ions. The surfaces of the target and back also accept 10-10Pa/cmmolecular flows of reactive gases. EFFECT: obtaining films of preset stoichiometric properties; increased output of process. 2 dwg Изобретение относится к газоразрядной электронике и электровакуумной технике, а более конкретно - к способам ионной обработки материалов и может применяться для нанесения пленок и травления материалов в микроэлектронике, металлургии и т. д. Целью изобретения является повышение стехиометричности состава при осаждении распыленного материала. Для этого распыляемую мишень и подложку устанавливают в замкнутом объеме нераспыляемого газопоглотителя (геттерного насоса) и предварительно перед ионной обработкой понижают давление в ростовой части, в зоне гетерного насоса на два порядка по сравнению с давлением в вакуумной камере, а нанесение покрытий ведут при распылении мишени ионным потоком инертного газа с дополнительной подачей молекулярных потоков химически активных газов величиной 10-10Па/смна поверхности мишени и подложки, что обеспечивает получение пленок заданной стехиометричности и повышение производительности процесса нанесения. 2 ил.