METHOD AND DEVICE FOR ION IMPLANTATION

FIELD: physics. SUBSTANCE: device has plasma source 1 provided with power system, system 2 for acceleration of ion beam, start pulse generator 3, pulse delay circuit 4, system 5 of detection and treatment of characteristic X-ray pulses. preamplifier 6, detector 7, isolator 8, additional isolated specimen 9, electric capacity 10, specimen 11, holder 12, top and low thresholds of voltage restrictor 13, coincidence circuit 14 and vacuum chamber 15. EFFECT: widened functional capabilities; improved of measurement. 2 cl, 3 dwg Изобретение относится к технической физике, в частности к радиационному материаловедению, и может быть использовано для улучшения электрофизических, химических и механических свойств приповерхностных слоев металлов и сплавов, полупроводников и др. материалов. Цель изобретения расширение функциональных возможностей и повышение точности измерения дозы внедренной примеси при имплантации. Устройство, реализующее способ, содержит плазменный источник 1 с системой питания, систему 2 ускорения пучка ионов, генератор 3 запускающих импульсов, схему 4 задержки импульсов, систему 5 регистрации и обработки характеристических рентгеновских импульсов, предусилитель 6, детектор 7, изолятор 8, дополнительный изолированный образец 9, электрическую емкость 10, образец 11, держатель 12, ограничитель 13 верхнего и нижнего порогов напряжения, схему 14 совпадения и вакуумную камеру 15. 2 с.п. ф-лы, 3 ил.