TRANSISTOR MANUFACTURING PROCESS

TRANSISTOR MANUFACTURING PROCESS

FIELD: electronic engineering; manufacture of semiconductor devices, such as MIS transistors, on galium arsenide substrate. SUBSTANCE: insulating material is deposited onto galium arsenide substrate that has drain and source regions by using pyrolysis method. Zink diethyl dithiocarbamate is used as...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Pekarev A.I, Olejnik S.P, Inkin V.N, Varlamov I.V, Poltoratskij Eh.A, Il'ichev Eh.A, Lipshits T.L, Emel'janov A.V, Matyna L.I
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: electronic engineering; manufacture of semiconductor devices, such as MIS transistors, on galium arsenide substrate. SUBSTANCE: insulating material is deposited onto galium arsenide substrate that has drain and source regions by using pyrolysis method. Zink diethyl dithiocarbamate is used as gas mixture. EFFECT: improved transconductance of transistors. 1 tbl Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия. Целью является повышение крутизны транзисторов. Цель достигается тем, что на подложку арсенида галлия, содержащую области стока и истока, осаждают диэлектрик методом пиролиза. В качестве газовой смеси используют диэтилдитиокарбамат цинка. 1 табл.