METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

FIELD: microelectronics; field-effect transistors operating at frequencies of several tens of GHz. SUBSTANCE: gallium arsenide is used for substrate, niobium or niobium nitride for gate. Masking coat is formed for producing source and drain regions. Then heat treatment is made in dry oxygen environment at 400-600 C. Substrate is annealed in hydrogen environment at 640-700 C. Source and drain regions are formed. EFFECT: improved reproducibility of gaps between active regions. 2 cl, 10 dwg Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов, работающих на частотах в несколько десятков гигагерц. Целью изобретения является повышение воспроизводимости величины зазоров между активными областями. Цель достигается тем, что в качестве подножки берут арсенид галлия, а затвор выполняют из ниобия либо нитрида ниобия. Формируют маскирующее покрытие под изготовление областей истока и стока. Затем проводят термообработку в атмосфере сухого кислорода при 400-600С. Отжигают подложку в среде водорода при 640-700С. Формируют области истока и стока. 10 ил.