METHOD OF APPLICATION OF COATINGS IN VACUUM

FIELD: electronic industry. SUBSTANCE: strength of counter magnetic field is changed in the process of deposition of plasma current, which ensures scanning of the flow of changed particles up to the surface of the substrate holder; the strength value of magnetic field varies, depending on the dimens...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Vil'dgrube V.G, Bystrov Ju.A, Kuznetsov V.G, Abramov I.S, Lisenkov A.A
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	FIELD: electronic industry. SUBSTANCE: strength of counter magnetic field is changed in the process of deposition of plasma current, which ensures scanning of the flow of changed particles up to the surface of the substrate holder; the strength value of magnetic field varies, depending on the dimensions of the substrate holder and its position relative to the magnetic systems used. EFFECT: enhanced quality of coatings due to the improvement of uniformity in thickness. 6 dwg Изобретение относится к области вакуумно - плазменной технологии и может найти применение в электронной промышленности. Целью изобретения является повышение качества покрытий путем повышения равномерности по толщине. Способ состоит в том, что в процессе осаждения плазменного потока изменяют напряженность встречного магнитного поля, что обеспечивает сканирование потока заряженных частиц до поверхности подложкодержателя, величина напряженности магнитного поля изменяется в зависимости от размеров подложкодержателя и его расположения относительно используемых магнитных систем. 6 ил.