MATERIAL FOR AUTOEMISSION CATHODE

FIELD: electronics. SUBSTANCE: material for autoemission cathode is based on refractory metals and has amorphous state with content of components, per cent by mass: tantalum 5-27; rhenium being the balance. Material is produced in the form of foil, 2-20 μm think free of backing or in the form of fil...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHUPINA M.S, BURKHANOV G.S, VAVILOVA V.V, BARMIN JU.V, BUROV I.V, LITVAK L.N, ZOLOTUKHIN I.V, KOVNERISTYJ JU.K, LAZAREV M.JU
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: electronics. SUBSTANCE: material for autoemission cathode is based on refractory metals and has amorphous state with content of components, per cent by mass: tantalum 5-27; rhenium being the balance. Material is produced in the form of foil, 2-20 μm think free of backing or in the form of film of submicron thickness on backing of monocrystalline sapphire. Material is produced with ion-plasma spaying on to cooled target. Density of current take-off of cathode from this material under comparable conditions increases by an order of magnitude. Threshold anode voltage decreases three-fold. EFFECT: enhanced emission of cathode and decreased anode voltage. Изобретение относится к электронной технике, в частности к автоэмиссионным катодам. Цель изобретения - повышение эмиссии катода и снижение величины анодного напряжения. Материал для автоэмиссионного катода на основе тугоплавких металлов имеет аморфное состояние при содержании компонентов Ta 5 - 27 мас. % , Re - остальное. Материал получен в виде фольги толщиной 2 - 20 мкм, свободной от подложки, а также в виде пленки субмикронной толщины на подложке из монокристаллического сапфира. Метод получения - ионно-плазменное напыление на охлаждаемую мишень. Плотность токоотбора автокатода из этого материала в сопоставимых условиях увеличивается на порядок, пороговое анодное напряжение уменьшается в три раза.