FIELD-CONTROLLED LASER

FIELD: optoelectronics; transmitting modules of FOL systems; base radiating cells of optoelectronic integrated circuits. SUBSTANCE: laser has semi-insulating GaAs substrate 1 carrying on one side layers forming double heterostructure; for example, n-FaAlAs layer 2 having common boundary with substrate, p-GaAs layer 3 functioning as active layer of laser radiating part, and p-AlGaAs layer 4 with heavily doped p-GaAs layer and contact 6 to it above layer 4. Other side of substrate 1 carries n-GaAs layer 1 with contacts of drain 8, source 9, and electrode of gate 10. Layer 7 has heavily doped n-GaAs region electrically connected to heavily doped region 12 of substrate. EFFECT: improved heat transfer of laser and degree of integration of circuits built around these lasers. 1 dwg Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве передающего модуля в системах ВОЛС, а также в качестве базовой излучающей ячейки в оптоэлектронных ИС. Изобретение обеспечивает улучшение теплоотвода лазера и повышение степени интеграции схем на этих лазерах. Лазер содержит полуизолирующую подложку 1 арсенида галлия, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру; например, слой 2 n-GaAlAs, имеющий общую границу с подложкой, слой 3 p-GaAs, являющийся активным слоем излучающей части лазера, и слой 4 рAlGaAs, поверх которого расположен сильно легированный слой 5 р-СаАs и контакт 6 к нему. По другую сторону подложки 1 расположен слой 7 n-GaAs с контактами стока 8, истока 9 и электродом затвора 10. В слое 7 выполнена сильнолегированная область 11 GaAs n-типа проводимости, гальванически связанная с сильнолегированной областью 12 подложки. 1 ил.