METHOD FOR SEALING SEMICONDUCTOR INTEGRAL CIRCUITS

FIELD: electronic devices. SUBSTANCE: crystal of integral microcircuit is sealed under cap which is made from the same material as crystal of integral microcircuit. Cap is connected to crystal by zone melting with temperature gradient. This is achieved by depositing aluminum layer with width 3 mcm along perimeter of crystal. Then this zone is melt until aluminum appears on outer side of cap. Cap is connected to crystal along its perimeter without seam. EFFECT: increased reliability. 4 dwg Изобретение относится к электронике, а именно к способам герметизации интегральных микросхем (ИМС). Цель повышение надежности за счет повышения степени герметичности корпуса. Для герметизации кристалла ИМС используют крышку из того же материала, что и ИМС. Соединяют крышку с кристаллом методом зонной плавки с градиентом температур. Для этого по периметру кристалла напыляют слой алюминия толщиной 3 мкм и проводят зонную плавку до появления алюминия на наружной стороне крышки. По периметру кристалла образуется бесшовное герметичное соединение с крышкой. 4 ил.