PERIODICAL STRUCTURE LASER

FIELD: electro-optics; fiber-optic communication lines. SUBSTANCE: laser has substrate made of pGaAs, for example, pGaAlAs, layer, pGaAs layer, GaAlAs, layer, the first additional semiconductor layer nGaAs with thickness of 0.3 mcm and impurity concentration of 1.5 x 10сm, monocrystal insulating layer GaAlAs:0(Z≃ 0,25) with thickness of 0.2 mcm, the second additional semiconductor layer with thickness of 0.15 mcm and concentration of doping impurity of 1.5 x 10cm, field electrodes made inside grooves with inclined walls with depth of 0.3 mcm disposed at distances, which provide phase synchronization of radiation (l≲ 10 μm). Laser also has sources. Laser provides operating frequency band of order of 5 GHz. Irradiator and frame circuits may be made at single crystal. EFFECT: reduced control power; directional pattern control; increased boundary modulation frequency. 1 dwg Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. Цель изобретения - уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции. Лазер содержит подложку, например p-GaAs, слой p - GaAlAs, слой p-GaAs, слой n - GaAlAs, первый дополнительный полупроводниковый слой пGaAs толщиной 0,3 мкм с концентрацией примеcи 1,5*10см, монокристаллический изолирующий слой GaAlAs : O (2 ≈ 0,25 толщиной 0,2 мкм, второй дополнительный полупроводниковый слой пGaAs толщиной 0,15 мкм с концентрацией легирующей примеси 1,5*10см, полевые электроды, выполненные в канавках с наклонными стенками глубиной 0,3 мкм, расположенными на расстояниях, обеспечивающих фазовую синхронизацию излучения (≲ = 10 мкм), и истоки. Лазер обеспечивает рабочую полосу частот порядка 5 ГГц и позволяет выполнить излучатель и схемы обрамления в одном кристалле. 1 ил.