MANUFACTURING PROCESS FOR EPITAXIAL INDIUM PHOSPHIDE LOCAL STRUCTURES

FIELD: manufacturing process for field-effect transistors. SUBSTANCE: local cavities are made on semiconductor surface by chemical etching through mask. Quality of epitaxial layer formed in cavity is greatly influenced by presence or absence of natural oxide on semiconductor surface in cavity. According to invention, semiconductor surface is protected against oxides by its treatment in hydrofluoric acid at 80 to 106 C for 5 to 15 min. The result is that dense adsorbed monolayer of fluorine atoms is formed on atomically pure semiconductor surface, which protects the latter from oxidation. EFFECT: improved quality of epitaxial structures due to eimination of high-resistance layer in substrate-epitaxial layer transistion. 3 dwg Изобретение относится к технологии изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия и может быть использовано для создания полевых транзисторов, диодов и т.д. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой. На поверхности полупроводника путем химического травления через маску создаются локальные углубления. Качество локального эпитаксиального слоя, формируемого в углублении, существенным образом зависит от наличия или отсутствия естественного окисла на поверхности полупроводника в углублении. Согласно изобретению защита поверхности полупроводника от окисления производится обработкой в плавиковой кислоте при 80 - 106С в течение 5 - 15 мин. В результате на атомарно-чистой поверхности полупроводника образуется плотный адсорбированный монослой атомов фтора, который предохраняет поверхность от окисления. 3 ил.