PHOTODETECTOR

FIELD: optical electronics. SUBSTANCE: device has plate of ferroelectric, which is covered by semiconductor film. Point electrode is applied over semiconductor. Lower side of ferroelectric plate is covered with second electrode. High potential barrier which is caused by rest polarization charge in ferroelectric results in possibility of efficient separation of charge carriers which are generated in semiconductor. Device may be used in devices which detect, count, stores optical signals. EFFECT: increased sensitivity without increased power consumption. 1 dwg Изобретение относится к оптоэлектронике и может применяться в устройствах для регистрации, счета и длительного запоминания оптических сигналов. Целью изобретения является повышение фоточувствительности фотоприемника без увеличения энергозатрат. Фотоприемник состоит из пластины сегнетоэлектрика, на которую напылена полупроводниковая пленка. Поверх полупроводника нанесен точечный электрод. Второй электрод нанесен на нижнюю сторону сегнетоэлектрической пластины. Существование высокого потенциального барьера, обусловленного зарядом остаточной поляризации сегнетоэлектрика, создает условия эффективного разделения фотогенерированных в полупроводнике носителей, что приводит к повышению фоточувствительности и расширению диапазона изменения фотоемкости. 1 ил.