DEVICE FOR GROWING OF PROFILED CRYSTALS FROM SOLUTION

FIELD: crystal growing from solution for laser equipment. SUBSTANCE: crystal growing is accelerated and its quality improved due to formation of thin and homogeneous diffusion layer of feeding solution supplied through slot-line nozzle periodically moved along the crystal growing face. Distance between the growing face and nozzle is maintained constant. The device has airtight crystallizer with solution. Crystallizer accommodates growing chamber with seed crystal for vertical motion and submersible pump for rotation and rocking. Pump nozzles are directed towards the crystal growing face. The device has the system for observing the distance between the crystal growing face and the nozzle, and the system for emergency disengagement of the device in case of formation of parasitic monocrystals in the solution volume. A DKDR crystal sizing 150x150x83 mm is grown with orientation of optical axis at 45 deg to the growing face. Growing rate was 0.6 mm/h. Regeneration zone in crystal occupied section in height with thickness less than 0.1 mm. Nonuniformity of refraction index did not exceed 10and optical stability for radiation with wave length of 1.06 mcm was better than 3 GW/sq.cm. EFFECT: higher efficiency of device and crystal quality. 5 cl, 3 dwg Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов для лазерной техники. Целью изобретения является повышение производительности устройства и качества кристалла. Повышение скорости роста кристалла и его качества обеспечивается формированием тонкого и однородного диффузионного слоя питающего раствора, который подается через щелевидное сопло, периодически перемещающееся вдоль растущей грани кристалла. Расстояние между растущей гранью кристалла и соплом поддерживают постоянным. Устройство содержит герметичный кристаллизатор с раствором, внутри которого установлены с возможностью вертикального перемещения камера роста с затравочным кристаллом и с возможностью вращения или качания погружной насос, выходные сопла которого направлены на растущую грань кристалла. Устройство снабжено следящей системой за расстоянием между растущей гранью кристалла и соплом, а также системой аварийного отключения устройства при образовании паразитных микрокристаллов в объеме раствора. Выращен кристалл ДКДР размером 150х150х83 мм с ориентацией оптической оси 45к растущей грани. Скорость роста составила 0,6 мм/ч. Зона регенерации в кристалле занимала по высоте участок толщиной менее 0,1 мм, величина неоднородностей показателя преломления