SEMICONDUCTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

The abstract is absent. 1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 10 - 2 * 10 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а продолжительность термообработки каждого слоя металла по направлению от границы раздела металл - полупроводник выбирают из условияt= (N - n)t,где t- время обработки i-го слоя металла;N - общее количество слоев металла;n- порядковый номер слоя;t - время полного отжига металла при заданной температуре.