MEMORY CELL

The abstract is absent. 1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора GaAlAs*(0,1 ≲ X ≲ 0,6), содержащего кислород в количестве 10 - 5 * 10 см и германий в количестве 5 * 10 - 5 * 10 см , при этом концентрация легирующей примеси в активном слое находится в диапазоне 10 - 10 см , а подложка выполнена из сильнолегированного арсенида галлия.2. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что, с целью увеличения информационной емкости между подложкой и изолирующим слоем, под последним введены по крайней мере один дополнительный активный и дополнительный изолирующий слой, а на противоположных концах каждого дополнительного активного слоя сформированы омические контакты, которые изолированы от активных слоев.