METHOD OF DECREASING DEFECTIVENESS OF DOUBLE-LAYER DIELECTRIC IN CONDUCTOR-SILICON NITRIDE-SILICON OXIDE- SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Mal'tsev A.I, Chernyshev Ju.R, Miloshevskij V.A, Tjul'kin V.M, Nagin A.P
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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