Device for stabilization of high-performance pulsed discharge of pulsed plasma generator to magnetron sputtering

Zapojenie stabilizácie vysokovýkonného impulzného výboja pulzného plazmového generátora na magnetrónové naprašovanie je riešené tak, že do výkonovej napájacej vetvy magnetrónu (6) s tranzistorom (5) NMOS je zaradený výkonový ochranný odpor (R17) s nízkou hodnotou parazitnej indukčnosti vinutý drôtom s vinutím typu Ayrton-Perry alebo výkonový ochranný odpor (R17) s nízkou hodnotou parazitnej indukčnosti na báze tenkým vrstiev, kde hodnota impedancie výkonového ochranného odporu (R17) sa rovná impedancii tlecieho výboja v parách kovov. Na hradlo IGBT tranzistora (5) NMOS sú pripojené elektronické riadiace obvody. Medzi source elektródu a drain elektródu tranzistora (5) NMOS je paralelne zaradená prvá vetva deviateho odporu (R9), desiateho odporu (R10), štvrtého kondenzátora (C4), druhá vetva s treťou diódou (D3) a tretia vetva s dvoma prepäťovými diódami (TRANSIL 1, TRANSIL 2), a za výkonový ochranný odpor (R17) sú medzi kladnú a zápornú svorku výkonového napájania zaradené kompenzačné kapacity (CE1 až CE6) a kompenzačné odpory (R15 a R16). Vo výkonovej napájacej vetve magnetrónu (6) je zaradená ochranná dióda (D5), štvrtá dióda (D4), stabilizačné odpory (R12 a R13) a jedenásty odpor (R11) pripojený na zápornú svorku výkonového napájania. Elektronické riadiace obvody hradla IGBT tranzistora (5) NMOS sú tvorené frekvenčným generátorom s vypínačom a podpornými prvkami a ďalej sú tvorené budičom (4) IGBT s podpornými prvkami, medzi ktorými je zaradený prepínač (3) s druhým vstupom ARDUINO. Device for stabilization of the high-power pulsed discharge of the pulsed plasma generator to the magnetron sputtering is characterised by inserting a power protection resistor (R17) with a low value of parasitic inductance wound with an Ayrton-Perry type winding wire or power protective resistor (R17) with a low value of parasitic inductance based on thin films into the power supply branch of the magnetron (6) with NMOS transistor (5). The value of the impedance of the power protective resistor (R17) is equal to the impedance of the melting discharge in metal vapors. Electronic control circuits are connected to the gate of the IGBT transistor (5) of the NMOS. Between the source electrode and the drain electrode of the NMOS transistor (5) is connected in parallel the first branch of the ninth resistor (R9), the tenth resistor (R10), the fourth capacitor (C4), the second branch with the third diode (D3) and the third branch with two overvoltage diodes (TRANSIL1, TRANSIL2), and