DEVICE FOR LIQUID-PHASE EPITAXY OF MULTILAYER EPITAXIAL STRUCTURES

FIELD: semiconductor engineering. SUBSTANCE: device has case 1, tanks 2 for spent melt solutions, tanks 3 for source melt solutions, pistons 7, cells 13 for substrates, displacement facilities 17, 19, channels and holes for forced delivery of melt solutions to and their discharge from substrate surfaces, metering tank 10; in addition, it has stack of plane-parallel plates 4, 5, 6, 9 arranged horizontally within case for their relative reciprocation; source melt solution tanks are placed between plates and substrate cells, as well as channels and holes, are provided in plates; piston displacement facility has spring 18. EFFECT: provision for building multilayer heterostructures with submicron-thickness epitaxial layers. Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии. Целью изобретения является обеспечение возможности создания многослойных гетероструктур с эпитаксиальными слоями субмикронной толщины. Указанная цель достигается тем, что устройство, включающее корпус, емкости для исходных и отработанных растворов-расплавов, поршни, ячейки для подложек, средства перемещения, систему каналов и отверстий для принудительной подачи и удаления растворов расплавов к поверхности подложек, дозирующую емкость, дополнительно содержит горизонтально расположенный в корпусе пакет плоскопараллельных пластин с возможностью их возвратно-поступательного движения относительно друг друга, емкости для исходных растворов расплавов расположены между пластинами, а ячейки для подложек и система каналов и отверстий в пластинах, при этом средство перемещения поршней снабжено пружиной.