GLASS
FIELD: electronic, radio engineering and other related industries. SUBSTANCE: claimed invention describes glass compositions, preferably for thick-film GIS on ceramic substrates. Claimed material can be used for protection of resistor elements. Glass comprises PbO, $$$ and further comprises ZnO and...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electronic, radio engineering and other related industries. SUBSTANCE: claimed invention describes glass compositions, preferably for thick-film GIS on ceramic substrates. Claimed material can be used for protection of resistor elements. Glass comprises PbO, $$$ and further comprises ZnO and $$$, the ratio of components being as follows (wt%): PbO 60.1-67.9 PbO; $$$ 5.0- 14.9; $$$ 3.6-10.0; $$$ 0.5-3.9; $$$ 0.5-7.5; ZnO 15.1- 29.5 and $$$ 0.5-10.1. Use of glass for protection of thick-film resistors makes it possible to improve accuracy of rated values of manufactured resistors and hence to improved quality of GIS. EFFECT: improved properties of glass compositions for thick-film GIS on ceramic substrates.
Изобретение относится к составам стекол преимущественно для толстопленочных ГИС на керамических подложках. Заявляемый материал может быть использован для защиты резистивных элементов и может применяться в электронной, радиотехнической и других смежных областях промышленности. Изобретение позволяет повысить термостойкость стекла и снизить за счет этого дрейф защищаемых резисторов после операции лазерной подгонки при сохранении низкого ухода номиналов резисторов при вжигании защитного слоя. Стекло, включающее PbO, BO, SiO, TiO, AlO, дополнительно содержит ZnO и PbFпри следующем соотношении компонентов, мас.%: PbO - 60,1 - 67,9, BO- 5,0 - 14,9, SiO- 3,6 - 10,0, TiO- 0,5 - 3,9, ALO- 0,5 - 7,5, ZnO - 15,1 - 29,5, PbF- 0,5 - 10,1. Применение стекла для защиты толстопленочных резисторов позволяет повысить точность номиналов изготовленных резисторов. Это обуславливает повышение качества ГИС. |
---|