SEMICONDUCTOR LASER DIODE OF II-VI COMPOUND FOR GENERATING LIGHT BEAM

FIELD: semiconductor engineering. SUBSTANCE: single laser diode II-VI without semiconductor coating layers has pn junction formed by overlapping p- and n-type ZnSe light-conducting layers on GaAs n-type substrate. Single CdSe/ZnSe active layer 12 with quantum well of short-period deformed superlattice is placed between guiding layers. Au electrode 24 covers p-type guiding opposite active layer with quantum well. Guiding layers are thick enough to allow substrate and Au electrode to maintain light beam generated by device inside active layer and guiding layers. EFFECT: improved design. Одиночный П-V1 лазерный диод без полупроводниковых покрывающих слоев включает в себя p - n-переход, образованный перекрывающимиcя световодными слоями 14, 16 p-типа и n-типа ZnSe на GaAs подложке n- типа. Между направляющими слоями расположен CdSe/ZnSe одиночный активный слой 12 с квантовой ямой деформированной сверхрешетки с коротким периодом. Электрод 24 покрывает направляющий слой p-типа напротив одиночного активного слоя с квантовой ямой. Направляющие слои имеют толщину, которая дает возможность подложке и электроду 24 удерживать световой луч, генерируемый прибором, внутри активного слоя и направляющих слоев.