PROCESS OF SILICON PRODUCTION
FIELD: metallurgy. SUBSTANCE: in order to exclude caking of blend and provide its smooth spontaneous descent into the furnace mouth and also to raise furnace output and reduce power consumption, a part of reaction gas throughout all smelting process is withdrawn from furnace through electrode cracks...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: metallurgy. SUBSTANCE: in order to exclude caking of blend and provide its smooth spontaneous descent into the furnace mouth and also to raise furnace output and reduce power consumption, a part of reaction gas throughout all smelting process is withdrawn from furnace through electrode cracks, in particular 266-400 cu. nm/t on conversion to carbon monoxide content. After cooling, withdrawn gas is purified in absence of oxygen to remove dust. The latter is elutriated and silicon grains with reduced content of admixtures are separated. EFFECT: enhanced efficiency of process and utilized silicon by- product. 3 cl
Изобретение относится к металлургии и может быть использовано при производстве кремния в мощных руднотермических электропечах. Цель - устранение спекания шихты и обеспечение ее равномерного самопроизвольного схода в горн печи, а также повышение производительности печи и уменьшение расхода электроэнергии. Сущность изобретения: по ходу всей плавки часть реакционного удаляют из печи через полости в электродах, в частности 266 - 400 нм/т газа в пересчете на содержание оксида углерода. Отбираемые газы после охлаждения очищают без доступа воздуха от пыли, а из пыли путем отмучивания отделяют гранулы кремния с пониженным содержанием примесей. |
---|