METHOD FOR COAT DEPOSITION BY CENTRIFUGING

FIELD: semiconductor engineering; deposition of coats (such as photoresist) on plates. SUBSTANCE: upon deposition of metered portion of solution on plate rotating at speed of 5000-7000 rpm and coating of plate entire surface with solution, uniform layer is formed for 10-15 s while varying plate speed according to law: ω=A/t, where t is time from beginning of deposition; w is angular velocity of plate; A is experimental constant depending on physical properties of photoresist (viscosity, etc.). Irregularity of layer obtained by this method is 9-10% lower. EFFECT: improved uniformity of layer obtained. Изобретение относится к области полупроводникового производства и может быть использовано при нанесении покрытий (например, из фоторезиста) на пластины. Технической задачей изобретения является повышение равномерности слоя покрытия. Сущность способа в том, что после нанесения дозы раствора на вращающийся со скоростью 5000-7000 об/мин пластину, полного покрытия раствором всей поверхности, в течение 10-15 с формируют равномерный слой, изменяя скорость вращения пластины. Предлагаемый способ позволяет уменьшить неравномерность получаемого слоя на 9-10%.