SEMICONDUCTOR TEMPERATURE DETECTOR

SEMICONDUCTOR TEMPERATURE DETECTOR

FIELD: electronic devices. SUBSTANCE: area of linear resistance of detector W conform to condition W = (0.7...2) L where L is diffusion length of charge in area of linear resistance. EFFECT: increased linearity of voltage-temperature response in given range. Изобретение относится к электронной техни...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GUDKOVA N.B, KAL'FA A.A, TAGER A.S
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
ELECTRICITY
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: electronic devices. SUBSTANCE: area of linear resistance of detector W conform to condition W = (0.7...2) L where L is diffusion length of charge in area of linear resistance. EFFECT: increased linearity of voltage-temperature response in given range. Изобретение относится к электронной технике, а именно - к полупроводниковым датчикам температуры. Изобретение позволяет повысить линейность вольт-температурной характеристики полупроводникового датчика температуры в рабочем диапазоне температур, что достигается выбором толщины области однородного сопротивления датчика.