PROCESS OF MANUFACTURE OF SILICON STRUCTURES

FIELD: semiconductor technology, manufacture of device of heavy-current electronics and microelectronics by method of direction. SUBSTANCE: proposed process of manufacture of silicon structures consists in polishing of plates, their hydrophilization, treatment of plates in solution of hydrofluoric acid indeionized water, in joining of plates with polished sides in mentioned solution, drying of joined plates in air at temperature 100-130 C in the course of not less than 4.0 h under simultaneous application of pressure with value not less than 3 × 10 , in subsequent heating of plates with rate not more than 10 deg/min starting from temperature 200 C with increase to 1000 C and curing at specified temperature. Grooves having depth not less than 0.3 μ are made in polished surfaces of plates with distance d between boundaries of grooves meeting relation 20 ≅ 1000 μ before hydrophilization. EFFECT: improved quality of manufacture silicon structures. Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано для изготовления приборов сильноточной электроники и микроэлектроники методом прямого сращивания. Задачей заявляемого изобретения является разработка такого способа изготовления кремниевых структур, который обеспечивал бы улучшение качества получаемых структур за счет устранения эффекта прорастания дислокаций в объем изготавливаемой структуры. Указанная задача решается тем, что в способе изготовления кремниевых структур, заключающемся в полировке пластин, их гидрофилизации, обработке пластин в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединении пластин отполированными сторонами в упомянутом растворе, сушке соединенных пластин на воздухе при 100-130°С в течение времени не менее 4 ч. при одновременном приложении давления величиной не менее 3 10Па, последующем нагреве пластин со скоростью не более 10 град/мин, начиная с температуры 200С до температуры не менее 1000С и выдержке при указанной температуре. Новым в заявляемом способе является то, что перед гидрофилизацией на полированной поверхности пластин выполняют канавки глубиной не менее 0,3 мкм и расстоянием между границами канавок d , отвечающим следующему соотношению 20≅d≅1000 мкм.