METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING

METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING

FIELD: analytical instrumentation engineering; producing gas-sensing films for gas sensors. SUBSTANCE: substrate is placed in reactor, reactor is pre-pumped out, substrate is heated to 280-300 C, mixture of reactive gases is admitted to reactor; mixture is composed of oxygen and tetraethyl tin, part...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GUSEV V.K, DONINA M.M, SAMOKHVALOV R.V, KONDRASHEVSKIJ V.P
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator GUSEV V.K
DONINA M.M
SAMOKHVALOV R.V
KONDRASHEVSKIJ V.P
description FIELD: analytical instrumentation engineering; producing gas-sensing films for gas sensors. SUBSTANCE: substrate is placed in reactor, reactor is pre-pumped out, substrate is heated to 280-300 C, mixture of reactive gases is admitted to reactor; mixture is composed of oxygen and tetraethyl tin, particular volume proportion of components being set within oxygen-to-tetraethyl tin ratio of 0.2-3; then high-frequency discharge is turned on and substrate is exposed to power density of 0.1 to 0.4 W/sq.cm. EFFECT: production of gas-films possessing high sensitivity and desired selectivity for gas sensors. Использование: в области аналитического приборостроения, а именно в способах получения газочувствительной пленки датчиков газа. Технический результат: получение чувствительных пленок для газовых датчиков, имеющих одновременно высокую чувствительность и заданную селективность. Сущность изобретения: помещают подложку в реактор, производят предварительную откачку реактора, нагрев подложки до температуры 280 - 300°С, напуск в реактор смеси реактивных газов, состоящей из кислорода и тетраэтилолова, при этом устанавливая конкретное соотношение компонентов по объему из интервала кислород:тетраэтилолова как 0,2 - 3 : 1, включение ВЧ-разряда и выдержку подложки при плотности мощности от 0,1 до 0,4 Вт/см.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU94025087A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU94025087A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU94025087A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPDzdQ3x8HdRcPMPUghzDPAP0g3wcAx2VXD2cPX1dHb0UQjwcQz2dVQIDvH0DfVxDPH091Pwd1NwdwzWDXb1C_b0c1dw8_TxBSkLAXJ4GFjTEnOKU3mhNDeDgptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8UKiliYGRqYGFuaMxEUoAsQQuKw</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING</title><source>esp@cenet</source><creator>GUSEV V.K ; DONINA M.M ; SAMOKHVALOV R.V ; KONDRASHEVSKIJ V.P</creator><creatorcontrib>GUSEV V.K ; DONINA M.M ; SAMOKHVALOV R.V ; KONDRASHEVSKIJ V.P</creatorcontrib><description>FIELD: analytical instrumentation engineering; producing gas-sensing films for gas sensors. SUBSTANCE: substrate is placed in reactor, reactor is pre-pumped out, substrate is heated to 280-300 C, mixture of reactive gases is admitted to reactor; mixture is composed of oxygen and tetraethyl tin, particular volume proportion of components being set within oxygen-to-tetraethyl tin ratio of 0.2-3; then high-frequency discharge is turned on and substrate is exposed to power density of 0.1 to 0.4 W/sq.cm. EFFECT: production of gas-films possessing high sensitivity and desired selectivity for gas sensors. Использование: в области аналитического приборостроения, а именно в способах получения газочувствительной пленки датчиков газа. Технический результат: получение чувствительных пленок для газовых датчиков, имеющих одновременно высокую чувствительность и заданную селективность. Сущность изобретения: помещают подложку в реактор, производят предварительную откачку реактора, нагрев подложки до температуры 280 - 300°С, напуск в реактор смеси реактивных газов, состоящей из кислорода и тетраэтилолова, при этом устанавливая конкретное соотношение компонентов по объему из интервала кислород:тетраэтилолова как 0,2 - 3 : 1, включение ВЧ-разряда и выдержку подложки при плотности мощности от 0,1 до 0,4 Вт/см.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1996</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19960627&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=94025087A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19960627&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=94025087A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GUSEV V.K</creatorcontrib><creatorcontrib>DONINA M.M</creatorcontrib><creatorcontrib>SAMOKHVALOV R.V</creatorcontrib><creatorcontrib>KONDRASHEVSKIJ V.P</creatorcontrib><title>METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING</title><description>FIELD: analytical instrumentation engineering; producing gas-sensing films for gas sensors. SUBSTANCE: substrate is placed in reactor, reactor is pre-pumped out, substrate is heated to 280-300 C, mixture of reactive gases is admitted to reactor; mixture is composed of oxygen and tetraethyl tin, particular volume proportion of components being set within oxygen-to-tetraethyl tin ratio of 0.2-3; then high-frequency discharge is turned on and substrate is exposed to power density of 0.1 to 0.4 W/sq.cm. EFFECT: production of gas-films possessing high sensitivity and desired selectivity for gas sensors. Использование: в области аналитического приборостроения, а именно в способах получения газочувствительной пленки датчиков газа. Технический результат: получение чувствительных пленок для газовых датчиков, имеющих одновременно высокую чувствительность и заданную селективность. Сущность изобретения: помещают подложку в реактор, производят предварительную откачку реактора, нагрев подложки до температуры 280 - 300°С, напуск в реактор смеси реактивных газов, состоящей из кислорода и тетраэтилолова, при этом устанавливая конкретное соотношение компонентов по объему из интервала кислород:тетраэтилолова как 0,2 - 3 : 1, включение ВЧ-разряда и выдержку подложки при плотности мощности от 0,1 до 0,4 Вт/см.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1996</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPDzdQ3x8HdRcPMPUghzDPAP0g3wcAx2VXD2cPX1dHb0UQjwcQz2dVQIDvH0DfVxDPH091Pwd1NwdwzWDXb1C_b0c1dw8_TxBSkLAXJ4GFjTEnOKU3mhNDeDgptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8UKiliYGRqYGFuaMxEUoAsQQuKw</recordid><startdate>19960627</startdate><enddate>19960627</enddate><creator>GUSEV V.K</creator><creator>DONINA M.M</creator><creator>SAMOKHVALOV R.V</creator><creator>KONDRASHEVSKIJ V.P</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19960627</creationdate><title>METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING</title><author>GUSEV V.K ; DONINA M.M ; SAMOKHVALOV R.V ; KONDRASHEVSKIJ V.P</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU94025087A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>1996</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GUSEV V.K</creatorcontrib><creatorcontrib>DONINA M.M</creatorcontrib><creatorcontrib>SAMOKHVALOV R.V</creatorcontrib><creatorcontrib>KONDRASHEVSKIJ V.P</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GUSEV V.K</au><au>DONINA M.M</au><au>SAMOKHVALOV R.V</au><au>KONDRASHEVSKIJ V.P</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING</title><date>1996-06-27</date><risdate>1996</risdate><abstract>FIELD: analytical instrumentation engineering; producing gas-sensing films for gas sensors. SUBSTANCE: substrate is placed in reactor, reactor is pre-pumped out, substrate is heated to 280-300 C, mixture of reactive gases is admitted to reactor; mixture is composed of oxygen and tetraethyl tin, particular volume proportion of components being set within oxygen-to-tetraethyl tin ratio of 0.2-3; then high-frequency discharge is turned on and substrate is exposed to power density of 0.1 to 0.4 W/sq.cm. EFFECT: production of gas-films possessing high sensitivity and desired selectivity for gas sensors. Использование: в области аналитического приборостроения, а именно в способах получения газочувствительной пленки датчиков газа. Технический результат: получение чувствительных пленок для газовых датчиков, имеющих одновременно высокую чувствительность и заданную селективность. Сущность изобретения: помещают подложку в реактор, производят предварительную откачку реактора, нагрев подложки до температуры 280 - 300°С, напуск в реактор смеси реактивных газов, состоящей из кислорода и тетраэтилолова, при этом устанавливая конкретное соотношение компонентов по объему из интервала кислород:тетраэтилолова как 0,2 - 3 : 1, включение ВЧ-разряда и выдержку подложки при плотности мощности от 0,1 до 0,4 Вт/см.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU94025087A
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-20T06%3A47%3A48IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=GUSEV%20V.K&rft.date=1996-06-27&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU94025087A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true