METHOD FOR VAPOR-PHASE CHEMICAL PLASMA STIMULATION OF GAS-SENSING FILM PLATING

FIELD: analytical instrumentation engineering; producing gas-sensing films for gas sensors. SUBSTANCE: substrate is placed in reactor, reactor is pre-pumped out, substrate is heated to 280-300 C, mixture of reactive gases is admitted to reactor; mixture is composed of oxygen and tetraethyl tin, particular volume proportion of components being set within oxygen-to-tetraethyl tin ratio of 0.2-3; then high-frequency discharge is turned on and substrate is exposed to power density of 0.1 to 0.4 W/sq.cm. EFFECT: production of gas-films possessing high sensitivity and desired selectivity for gas sensors. Использование: в области аналитического приборостроения, а именно в способах получения газочувствительной пленки датчиков газа. Технический результат: получение чувствительных пленок для газовых датчиков, имеющих одновременно высокую чувствительность и заданную селективность. Сущность изобретения: помещают подложку в реактор, производят предварительную откачку реактора, нагрев подложки до температуры 280 - 300°С, напуск в реактор смеси реактивных газов, состоящей из кислорода и тетраэтилолова, при этом устанавливая конкретное соотношение компонентов по объему из интервала кислород:тетраэтилолова как 0,2 - 3 : 1, включение ВЧ-разряда и выдержку подложки при плотности мощности от 0,1 до 0,4 Вт/см.