METHOD FOR FORMING A CURRENT-COLLECTING CONTACT ON THE SURFACE OF SOLAR CELLS WITH A HETEROJUNCTION
FIELD: thick-film microelectronics.SUBSTANCE: invention relates to thick-film microelectronics, and in particular to technologies used in the production of solar cells based on a heterojunction. The method for forming a current-collecting contact on the surface of solar cells with a heterojunction i...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: thick-film microelectronics.SUBSTANCE: invention relates to thick-film microelectronics, and in particular to technologies used in the production of solar cells based on a heterojunction. The method for forming a current-collecting contact on the surface of solar cells with a heterojunction is based on the use of a special metallization paste based on silver powder and technological modes of its processing, which make it possible to significantly increase the speed of its application, as well as to accelerate the sintering of silver particles according to the multistage mechanism of the formation-decay of silver halide during thermal destruction of a halogen-containing polymer.EFFECT: ensuring the maximum values of the electrical parameters of solar cells with a significant increase in the productivity of their manufacture.4 cl, 4 dwg, 1 tbl
Изобретение относится к толстопленочной микроэлектронике, а именно к технологиям, используемым при производстве солнечных элементов на основе гетероперехода. Технический результат - обеспечение максимальных значений электропараметров солнечных элементов при существенном повышении производительности их изготовления. Способ формирования токосъёмного контакта на поверхности солнечных элементов с гетеропереходом основан на применении специальной металлизационной пасты на основе порошка серебра и технологических режимов её обработки, позволяющих значительно повысить скорость её нанесения, а также осуществить ускорение спекания частиц серебра согласно многоступенчатому механизму формирования-распада галогенида серебра в ходе термической деструкции галогенсодержащего полимера. 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл. |
---|