SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURED CERAMIC MATERIAL

FIELD: electrical engineering.SUBSTANCE: invention relates to the field of electrical engineering, namely to a highly efficient method for manufacturing nanostructured semiconductor materials based on phases with a perovskite structure containing cations of yttrium, beryllium, barium and copper with different densities required for thermistors with a negative temperature coefficient of resistance. The effect is achieved by compacting micropowders and processing them for an hour at a temperature of 600-900°C at a lifting and cooling rate of no higher than ~ 5°C/min and ~ 3°C/min, respectively, with a quantitative ratio of nanopowders from 40:60 to 60:40, obtained with technological substitutions of beryllium for barium in the compound YВе2Сu3О7-δ, followed by pressing at a pressure of at least 100 MPa and sintering at a temperature of 900 to 920°C for 1 - 10 hours.EFFECT: obtaining nanostructured thermoresistive materials with a given porosity and electrical properties at relatively low temperatures (less than 920°C) and a time of less than 10 hours.1 cl, 3 ex, 6 dwg Изобретение относится к области электротехники, а именно к высокоэффективному способу изготовления наноструктурированных полупроводниковых материалов на основе фаз со структурой перовскита, содержащих катионы иттрия, бериллия, бария и меди с различной плотностью, необходимых для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Получение наноструктурированных терморезистивных материалов с заданной пористостью и электрическими свойствами при сравнительно низких температурах (менее 920°С) и времени менее 10 часов является техническим результатом изобретения, который достигается путем компактирования микропорошков и их обработки в течение часа при температуре 600-900°С при скорости подъема и охлаждения не выше ~5°С/мин и ~ 3°С/мин соответственно, при количественном соотношении нанопорошков от 40:60 до 60:40, полученных с технологическими замещениями бериллия на барий в соединении YВе2Сu3О7-δ, с последующим прессованием при давлении не менее 100 МПа и спеканием при температуре 900 до 920°С в течение 1÷10 часов. 3 пр., 6 ил.