METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURES ON SUBSTRATES USING WET DEPOSITION

FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to a method for manufacturing a structural coating on a substrate for the purpose of protecting the substrate from short circuiting. A first dielectric layer is deposited on the substrate by means of wet deposition. A first conductive layer is deposite...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: RUCKMICH, Stefan, NEUMANN, Karsten
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to a method for manufacturing a structural coating on a substrate for the purpose of protecting the substrate from short circuiting. A first dielectric layer is deposited on the substrate by means of wet deposition. A first conductive layer is deposited on the first dielectric layer. A second dielectric layer is deposited thereon by means of wet deposition, and a second electrically conductive layer is deposited thereon. A dielectric intermediate layer is deposited between the first dielectric layer and the second electrically conductive layer using the technological process of dry deposition.EFFECT: possibility of using wet deposition without short circuiting occurring between the electrically conductive layers is provided to achieve the acceptable yield and security even if relatively large particles or non-homogeneity are present on the substrate.11 cl, 4 dwg, 1 ex Изобретение относится к способу изготовления структурного покрытия на подложке для защиты подложки от короткого замыкания. Первый диэлектрический слой осаждают на подложке путем мокрого осаждения. На первом диэлектрическом слое осаждают первый электропроводящий слой. На нем осаждают второй диэлектрический слой путем мокрого осаждения, а на нем осаждают второй электропроводящий слой. Диэлектрический промежуточный слой осаждают между первым диэлектрическим слоем и вторым электропроводящим слоем при использовании технологического процесса сухого осаждения. Обеспечивается возможность использования мокрого осаждения без возникновения коротких замыканий между электропроводящими слоями для достижения приемлемых выхода и надежности даже при наличии на подложке относительно крупных частиц или неоднородности. 10 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.