METHOD FOR MANUFACTURING CONTACTS TO THIN THREE-DIMENSIONAL FLAKES OF LAYERED CRYSTALS

FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention can be used in electronics for the manufacture of electronic components. The method for manufacturing contacts to thin three-dimensional flakes of layered crystals includes pressing the contact to the crystal, for this purpose a matrix is used with metal conta...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Devyatov Eduard Valentinovich, Orlova Nadezhda Nikolaevna, Shvetsov Oleg Olegovich, Esin Varnava Denisovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention can be used in electronics for the manufacture of electronic components. The method for manufacturing contacts to thin three-dimensional flakes of layered crystals includes pressing the contact to the crystal, for this purpose a matrix is used with metal contact tracks preformed on the surface of oxidized silicon, on which a flake of a layered crystal with a thickness of 100 nm to 1 mcm is placed, so as to ensure its overlap with the contact tracks, and pressing the contact to the crystal is carried out by pressing crystal flakes once with a second polished plate of oxidized silicon.EFFECT: invention makes it possible to exclude significant deformations and contamination in the contact area.1 cl, 2 dwg, 2 ex Изобретение может быть использовано в электронике для изготовления электронных компонентов. Способ изготовления контактов к тонким трехмерным чешуйкам слоистых кристаллов включает прижим контакта к кристаллу, для этого используют матрицу с предварительно сформированными на поверхности оксидированного кремния металлическими контактными дорожками - контактами, на которой размещают чешуйку слоистого кристалла толщиной от 100 нм до 1 мкм, так чтобы обеспечить ее перекрытие с контактными дорожками, а прижим контакта к кристаллу осуществляют путем однократного прижима второй полированной пластиной оксидированного кремния чешуйки кристалла. Изобретение обеспечивает возможность исключения значительных деформаций и загрязнений в контактной области. 2 ил., 2 пр.