METHOD FOR MANUFACTURING CONTACTS TO THIN THREE-DIMENSIONAL FLAKES OF LAYERED CRYSTALS
FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention can be used in electronics for the manufacture of electronic components. The method for manufacturing contacts to thin three-dimensional flakes of layered crystals includes pressing the contact to the crystal, for this purpose a matrix is used with metal conta...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electronics.SUBSTANCE: invention can be used in electronics for the manufacture of electronic components. The method for manufacturing contacts to thin three-dimensional flakes of layered crystals includes pressing the contact to the crystal, for this purpose a matrix is used with metal contact tracks preformed on the surface of oxidized silicon, on which a flake of a layered crystal with a thickness of 100 nm to 1 mcm is placed, so as to ensure its overlap with the contact tracks, and pressing the contact to the crystal is carried out by pressing crystal flakes once with a second polished plate of oxidized silicon.EFFECT: invention makes it possible to exclude significant deformations and contamination in the contact area.1 cl, 2 dwg, 2 ex
Изобретение может быть использовано в электронике для изготовления электронных компонентов. Способ изготовления контактов к тонким трехмерным чешуйкам слоистых кристаллов включает прижим контакта к кристаллу, для этого используют матрицу с предварительно сформированными на поверхности оксидированного кремния металлическими контактными дорожками - контактами, на которой размещают чешуйку слоистого кристалла толщиной от 100 нм до 1 мкм, так чтобы обеспечить ее перекрытие с контактными дорожками, а прижим контакта к кристаллу осуществляют путем однократного прижима второй полированной пластиной оксидированного кремния чешуйки кристалла. Изобретение обеспечивает возможность исключения значительных деформаций и загрязнений в контактной области. 2 ил., 2 пр. |
---|