DEVICE FOR PROTECTING STRUCTURE OF UNCOOLED THERMOSENSITIVE ELEMENT AND METHOD FOR PROTECTING STRUCTURE

FIELD: microelectronic engineering.SUBSTANCE: invention relates to the field of microelectronic engineering. The method of protecting a silicon wafer of the structure of an uncooled thermosensitive element from mechanical and / or chemical influences is characterized by the fact that a photoresist l...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Shakhovtsev Mikhail Mikhailovich, Muratova Mariya Olegovna, Anchukov Konstantin Evgenevich, Tarenkin Andrey Ivanovich, Panin Dmitriy Ivanovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: microelectronic engineering.SUBSTANCE: invention relates to the field of microelectronic engineering. The method of protecting a silicon wafer of the structure of an uncooled thermosensitive element from mechanical and / or chemical influences is characterized by the fact that a photoresist layer is applied to the antireflection coating of a germanium plate, the photoresist layer is removed from the edge sections of the antireflection coating or said plate, and the said plate is heat treated with an upper photoresist layer at a temperature 180°C for 3 minutes to evaporate the solvent from the photoresist layer, and then a protective layer of deposited amorphous silicon a-Si with a thickness of at least 2 mcm is applied by the plasmochemical method on the photoresist layer from above and along its side walls.EFFECT: invention is aimed at increasing the security of the structure of an uncooled thermosensitive element, allowing the structure to be processed in organic solvents.2 cl, 4 dwg Изобретение относится к области микроэлектронной техники. Способ защиты кремниевой пластины структуры неохлаждаемого термочувствительного элемента от механических и/или химических воздействий характеризуется тем, что наносят слой фоторезиста на просветляющее покрытие германиевой пластины, удаляют слой фоторезиста с краевых участков просветляющего покрытия или указанной пластины и осуществляют термообработку указанной пластины с верхним слоем фоторезиста при температуре 180°С в течение 3 минут для выпаривания растворителя из слоя фоторезиста, а затем наносят плазмохимичекским способом на слой фоторезиста сверху и по его боковым стенкам защитный слой осажденного аморфного кремния a-Si толщиной не менее 2 мкм. Технический результат заключается в повышении защищенности структуры неохлаждаемого термочувствительного элемента, позволяющей обрабатывать структуру в органических растворителях. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.