METHOD OF WRITING AND READING INFORMATION FOR PERMANENT MEMORY ELEMENTS OF NEUROMORPHIC SYSTEMS

FIELD: memory structures.SUBSTANCE: invention relates to the field of memory structures using a biological model, in particular to a method for recording and reading information for permanent memory elements of neuromorphic systems. The technical result is achieved due to the method, which includes changing the conductivity of a single crystal of black phosphorus, as well as recording and reading, which are performed due to the controlled drift of vacancies near the metal-black phosphorus contact when a voltage is applied to the contact from less than -2 V to -10 V for recording and +2 V to more than -2 V for reading.EFFECT: technical result consists in providing information recording for a long-term resistive memory system with a single recording and reading channel without the need to use external electric fields of the transistor gate to record information.1 cl, 1 dwg Изобретение относится к области структур памяти с использованием биологической модели, в частности к способу записи и считывания информации для элементов постоянной памяти нейроморфных систем. Технический результат заключается в обеспечении записи информации для системы долговременной резистивной памяти с единым каналом записи и считывания без необходимости использования внешних электрических полей затвора транзистора для записи информации. Технический результат достигается за счетспособа, который включает изменение проводимости монокристалла черного фосфора, а также запись и считывание, которые производятся за счет управляемого дрейфа вакансий вблизи контакта металл-черный фосфор при приложении напряжения к контакту от меньше -2 В до -10 В для записи и от +2 В до больше -2 В для считывания. 1 ил.