OPERATIONAL AMPLIFIER WITH "FLOATING" INPUT DIFFERENTIAL CASCADE ON COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH CONTROL P-N JUNCTION

FIELD: radio equipment.SUBSTANCE: proposed invention relates to radio engineering. To this end, operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction is proposed, in which, unlike prototype between combined sources of first (5) and second (6) input field transistors and the combined sources of third (7) and fourth (8) input field-effect transistors have an element for stabilizing static mode (9) of the input field-effect transistors based on first (18) additional field-effect transistor and first (19) additional resistor, wherein drain of first (18) additional field-effect transistor is connected to combined sources of first (5) and second (6) input field-effect transistors, gate of first (18) additional field-effect transistor is connected to combined sources of third (7) and fourth (8) input field-effect transistors, as well as other elements and connections are proposed.EFFECT: development of radiation-resistant and low-temperature JFet operational amplifier.4 cl, 13 dwg Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя. Для этого предложен операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, в котором в отличие от прототипа между объединенными истоками первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов и объединенными истоками третьего (7) и четвертого (8) входных полевых транзисторов включен элемент стабилизации статического режима (9) входных полевых транзисторов на основе первого (18) дополнительного полевого транзистора и первого (19) дополнительного резистора, причем сток первого (18) дополнительного полевого транзистора подключен к объединенным истокам первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов, затвор первого (18) дополнительного полевого транзистора соединен с объединенными истоками третьего (7) и четвертого (8) входных полевых транзисторов, а также предложены другие элементы и связи. 3 з.п. ф-лы, 13 ил.