METHOD OF PRODUCING COSI MONOCRYSTALS BY CHEMICAL VAPOR TRANSPORT

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to production of CoSi monocrystals by chemical vapor transport. Process is carried out in quartz ampoules with temperature difference in hot and cold zones of 100°C. Starting material is pre-synthesized CoSi, and the transporting agent is iodine. Tempera...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Timonina Anna Vladimirovna, Devyatov Eduard Valentinovich, Shvetsov Oleg Olegovich, Kolesnikov Nikolaj Nikolaevich, Esin Varnava Denisovich, Borisenko Dmitrij Nikolaevich
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to production of CoSi monocrystals by chemical vapor transport. Process is carried out in quartz ampoules with temperature difference in hot and cold zones of 100°C. Starting material is pre-synthesized CoSi, and the transporting agent is iodine. Temperature in hot zone is 950-980°C.EFFECT: invention ensures reduction of working temperatures and duration of process to 5 days without reducing the size of the obtained crystals (up to 2-2.5 mm).1 cl, 1 dwg, 1 tbl Изобретение относится к технологии получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров. Процесс ведут в кварцевых ампулах при разности температур в горячей и холодной зонах в 100°С. Исходным материалом служит предварительно синтезированный CoSi, а транспортирующим агентом является йод. Температура в горячей зоне составляет 950-980°С. Изобретение обеспечивает снижение рабочих температур и продолжительности процесса до 5 суток без уменьшения размеров получаемых кристаллов (до 2-2,5 мм). 1 ил., 1 табл.