BROADBAND EMITTER OF INFRARED AND TERAHERTZ WAVELENGTH RANGES

FIELD: semiconductor optoelectronics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor optoelectronics, specifically to sources of radiation of infrared and terahertz wavelength ranges, intended, mainly for use in optoelectronics, in measurement equipment, in medicine, in safety systems, as well as elemental base of quantum computers. Proposed radiator has base 1 of silicon of n-type conductivity, on which a coating is formed in the form of an epitaxial film of silicon carbide 2, under which there is a nanoporous transition structure 3 from silicon to silicon carbide. Coating surface is doped with boron to form a quantum well of 4 p-type conductivity with thickness less than 5 nm and two-dimensional density of boron within 1012-1014cm-2. Quantum well is confined by two delta barriers 5 with boron impurity concentration exceeding 5×1021cm-3, thickness of each of which does not exceed 3 nm. Self-organized microresonators 6 are formed inside the quantum well in the form of crystallographically oriented pyramids. There are formed contacts 7 on the coating.EFFECT: increasing total specific power in the entire spectral range and increasing the efficiency of the emitter.1 cl, 6 dwg Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, а именно к источникам излучения инфракрасного и терагерцевого диапазонов длин волн, предназначенным, в основном, для использования в оптоэлектронике, в измерительной технике, в медицине, в системах безопасности, а также в качестве элементной базы квантовых компьютеров. Заявляемый излучатель имеет основу 1 из кремния n-типа проводимости, на которой сформировано покрытие в виде эпитаксиальной пленки карбида кремния 2, под которой имеется нанопористая переходная структура 3 от кремния к карбиду кремния. Поверхность покрытия легирована бором с образованием квантовой ямы 4 p-типа проводимости толщиной менее 5 нм и двумерной плотностью бора в пределах 1012-1014см-2. Квантовая яма ограничена двумя дельта-барьерами 5 с концентрацией примеси бора свыше 5×1021см-3, толщина каждого из которых не превышает 3 нм. Внутри квантовой ямы сформированы самоорганизованные микрорезонаторы 6 в виде кристаллографически ориентированных пирамидок. На покрытии сформированы контакты 7. Достигаемый технический результат - повышение суммарной удельной мощности во всем спектральном диапазоне и повышение КПД излучателя. 6 ил.