HYBRID PIXEL DETECTOR OF IONIZING RADIATIONS
FIELD: measuring equipment.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor detectors of ionizing radiation. Hybrid pixel detector of ionizing radiations comprises a semiconductor structured sensor for detecting ionizing radiations, consisting of a matrix of columnar elements electrically insulated fro...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: measuring equipment.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor detectors of ionizing radiation. Hybrid pixel detector of ionizing radiations comprises a semiconductor structured sensor for detecting ionizing radiations, consisting of a matrix of columnar elements electrically insulated from each other by a thin layer of dielectric material, and a recording matrix microcircuit connected by an inverted crystal method, wherein the sensor thickness is 4 mm, and the pixel size of sensor is 55 mcm or 110 mcm.EFFECT: technical result is high efficiency of detecting radiation, high spatial and energy resolution of the detector.1 cl, 4 dwg
Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения. Гибридный пиксельный детектор ионизирующих излучений содержит полупроводниковый структурированный сенсор для регистрации ионизирующих излучений, состоящий из матрицы столбчатых элементов, электрически изолированных друг от друга тонким слоем диэлектрика, и регистрирующую матричную микросхему, соединенные методом перевернутого кристалла, при этом толщина сенсора составляет 4 мм, а размер пикселя сенсора - 55 мкм или 110 мкм. Технический результат - повышение эффективности регистрации излучения, повышение пространственного и энергетического разрешения детектора. 4 ил. |
---|