RESISTIVE MEMORY ELEMENT

FIELD: computer equipment.SUBSTANCE: invention relates to the computer equipment. Resistive memory element comprises a substrate, active layer on the substrate, two electroconductive electrodes in contact with the active layer, wherein the active layer is made in a film of polyvinyl alcohol with a layer of fluorinated graphene particles adjacent thereto, first electrode is made with possibility of contacting with polyvinyl alcohol film, and second electrode is with layer of fluorinated graphene particles, which are obtained from thermally expanded graphite, with fluorination to degree of 20 to 25 %, including said values, particles are formed with thickness of not more than 2 nm, adjacent to film of polyvinyl alcohol, thickness of which is not less than 70 nm, layer of particles of fluorinated graphene is formed with thickness not exceeding the value lying in range from 5 to 10 nm, with total thickness of not more than 120 nm.EFFECT: technical result consists in increase in ratio of values of currents in open and closed states (I/I) with achievement of 4-6 orders.4 cl, 4 dwg Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении отношения величин токов в открытом и закрытом состояниях (I/I) с достижением 4-6 порядков. Элемент резистивной памяти содержит подложку, расположенные на подложке активный слой, два электропроводящих электрода, контактирующих с активным слоем, при этом активный слой выполнен в составе пленки поливинилового спирта с примыкающим к ней слоем частиц фторированного графена, первый электрод выполнен с возможностью контактирования с пленкой поливинилового спирта, а второй - со слоем частиц фторированного графена, которые получены из терморасширенного графита, с фторированием до степени от 20 до 25%, включая указанные значения, частицы сформированы толщиной не более 2 нм, примыкающий к пленке поливинилового спирта, толщина которой не менее 70 нм, слой частиц фторированного графена сформирован толщиной, не превышающей величины, лежащей в интервале от 5 до 10 нм, при суммарной их толщине не более 120 нм. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.