ACTIVE LAYER OF MEMRISTOR

FIELD: computer equipment.SUBSTANCE: invention relates to information accumulation technology, to computer engineering, particularly to elements of resistive memory, and can be used in designing memory devices, for example, computers, microprocessors of electronic passports, electronic cards. Active layer of memristor contains fluorographene particles and particles of crystalline hydrate of vanadium oxide VO⋅nHO with n≤3. Fluorographene is fluorinated to extent of 30 % or more. Lateral dimension of fluorographene particles is from 20 to 100 nm, thickness of particles from 1 monolayer to 2 nm. Particle diameter of the crystalline hydrate of vanadium oxide ranges from 5 to 20 nm. Particles of crystalline hydrate of vanadium are encapsulated by fluorographene particles. Ratio of content of fluorographene to content of crystalline hydrate of vanadium oxide is taken from 0.5 to 0.7 wt%. Active layer has thickness of 40 to 70 nm.EFFECT: active layer according to the invention provides higher ratio of currents in open and closed states (I/I), increased switching stability without signal changes, switching time achievement to nanosecond range.1 cl, 7 dwg Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, и может быть использовано при создании устройств памяти, например, вычислительных машин, микропроцессоров электронных паспортов, электронных карточек. Активный слой мемристора содержит частицы фторографена и частицы кристаллогидрата оксида ванадия VO⋅nHO с n≤3. Фторографен фторирован до степени 30% или более. Латеральный размер частиц фторографена составляет от 20 до 100 нм, толщина частиц от 1 монослоя до 2 нм. Диаметр частиц кристаллогидрата оксида ванадия - от 5 до 20 нм. Частицы кристаллогидрата оксида ванадия капсулированы частицами фторографена. Соотношение содержания фторографена к содержанию кристаллогидрата оксида ванадия взято от 0,5 до 0,7 масс. %. Активный слой выполнен толщиной от 40 до 70 нм. Активный слой по изобретению обеспечивает повышение отношения величин токов в открытом и закрытом состояниях (I/I), повышение стабильности переключений без изменений сигналов, достижение времени переключения до величины наносекундного диапазона. 7 ил.