THIN-FILM TRANSISTOR, GATE TRIGGER ON MATRIX AND DISPLAY DEVICE CONTAINING THEREOF, AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention discloses a thin-film transistor, comprising a base substrate, an active layer on a base substrate, comprising a first semiconductor region, a second semiconductor region and a plurality of semiconductor bridges, each of which connects a first semiconductor region and a second semiconductor region, wherein said plurality of semiconductor bridges are spaced from each other, wherein said active layer is made of material containing M1ON, wherein M1 is one metal or combination of metals, a > 0 and b ≥ 0, etching stop layer on side of active layer, far from base substrate, wherein the first semiconductor region comprises a first non-overlapping portion, a projection of which is outside the projection of the etching stop layer on the top view of the base substrate, and the second semiconductor region comprises a second non-overlapping portion, a projection of which is outside the projection of the etching stop layer on the top view of the base substrate, the first electrode on the side of the first non-overlapping section, far to the base substrate, and the second electrode on the side of the second non-overlapping section, far to the base substrate.EFFECT: invention provides high density of carriers and high mobility.18 cl, 8 dwg Изобретение раскрывает тонкопленочный транзистор, включающий в себя базовую подложку, активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область, причем данное множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга, при этом данный активный слой выполнен из материала, содержащего М1ОN, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки, причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, и вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, первый электрод на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и второй электрод на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке. Изобретение обеспечивает высоку