METHOD FOR FORMATION OF VOIDS IN IONIC CRYSTALS
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the use of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances, particularly a method of forming voids in KBr ion crystals. Method consists in fact that on surface of plate of crystal KBr of special purity is puttin...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Savenko Oleg Mikhajlovich Kuzin Aleksandr Gennadevich |
| description | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the use of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances, particularly a method of forming voids in KBr ion crystals. Method consists in fact that on surface of plate of crystal KBr of special purity is putting portion of Mg of special purity and placing plate in quartz tube, pumped to pressure 10÷10Pa, is heated to temperature T= 450÷520 °C, followed by annealing for a period of time τ= 5÷15 hours, followed by cooling to temperature T= 20÷22 °C and holding for τ= 2÷3 hours, then pulses of tensile stresses with amplitude of at least 50 MPa are generated in said diffusion regions Mg in said plates.EFFECT: technical result is formation of distribution of voids at a given depth of sample.1 cl, 1 dwg, 3 ex
Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr. Способ заключается в том, что на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10÷10Па, нагревают до температуры T=450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ=5÷15 часов, после чего проводят охлаждение до температуры Т=20÷22°С и выдержку в течение τ=2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа. Технический результат - формирование распределения пустот на заданном интервале глубин образца. 1 ил., 3 пр. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2703254C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2703254C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2703254C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZND3dQ3x8HdRcPMPAmFfxxBPfz8FfzeFMH9Pl2AFTz8FIN_TWcE5KDI4xNEnmIeBNS0xpziVF0pzMyi4uYY4e-imFuTHpxYXJCan5qWWxAeFGpkbGBuZmjgbGROhBAC2bSWl</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR FORMATION OF VOIDS IN IONIC CRYSTALS</title><source>esp@cenet</source><creator>Savenko Oleg Mikhajlovich ; Kuzin Aleksandr Gennadevich</creator><creatorcontrib>Savenko Oleg Mikhajlovich ; Kuzin Aleksandr Gennadevich</creatorcontrib><description>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the use of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances, particularly a method of forming voids in KBr ion crystals. Method consists in fact that on surface of plate of crystal KBr of special purity is putting portion of Mg of special purity and placing plate in quartz tube, pumped to pressure 10÷10Pa, is heated to temperature T= 450÷520 °C, followed by annealing for a period of time τ= 5÷15 hours, followed by cooling to temperature T= 20÷22 °C and holding for τ= 2÷3 hours, then pulses of tensile stresses with amplitude of at least 50 MPa are generated in said diffusion regions Mg in said plates.EFFECT: technical result is formation of distribution of voids at a given depth of sample.1 cl, 1 dwg, 3 ex
Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr. Способ заключается в том, что на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10÷10Па, нагревают до температуры T=450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ=5÷15 часов, после чего проводят охлаждение до температуры Т=20÷22°С и выдержку в течение τ=2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа. Технический результат - формирование распределения пустот на заданном интервале глубин образца. 1 ил., 3 пр.</description><language>eng ; rus</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; THEIR RELEVANT APPARATUS ; TRANSPORTING ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2019</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191015&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2703254C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20191015&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2703254C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Savenko Oleg Mikhajlovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Kuzin Aleksandr Gennadevich</creatorcontrib><title>METHOD FOR FORMATION OF VOIDS IN IONIC CRYSTALS</title><description>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the use of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances, particularly a method of forming voids in KBr ion crystals. Method consists in fact that on surface of plate of crystal KBr of special purity is putting portion of Mg of special purity and placing plate in quartz tube, pumped to pressure 10÷10Pa, is heated to temperature T= 450÷520 °C, followed by annealing for a period of time τ= 5÷15 hours, followed by cooling to temperature T= 20÷22 °C and holding for τ= 2÷3 hours, then pulses of tensile stresses with amplitude of at least 50 MPa are generated in said diffusion regions Mg in said plates.EFFECT: technical result is formation of distribution of voids at a given depth of sample.1 cl, 1 dwg, 3 ex
Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr. Способ заключается в том, что на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10÷10Па, нагревают до температуры T=450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ=5÷15 часов, после чего проводят охлаждение до температуры Т=20÷22°С и выдержку в течение τ=2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа. Технический результат - формирование распределения пустот на заданном интервале глубин образца. 1 ил., 3 пр.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>THEIR RELEVANT APPARATUS</subject><subject>TRANSPORTING</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2019</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZND3dQ3x8HdRcPMPAmFfxxBPfz8FfzeFMH9Pl2AFTz8FIN_TWcE5KDI4xNEnmIeBNS0xpziVF0pzMyi4uYY4e-imFuTHpxYXJCan5qWWxAeFGpkbGBuZmjgbGROhBAC2bSWl</recordid><startdate>20191015</startdate><enddate>20191015</enddate><creator>Savenko Oleg Mikhajlovich</creator><creator>Kuzin Aleksandr Gennadevich</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20191015</creationdate><title>METHOD FOR FORMATION OF VOIDS IN IONIC CRYSTALS</title><author>Savenko Oleg Mikhajlovich ; Kuzin Aleksandr Gennadevich</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2703254C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2019</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>THEIR RELEVANT APPARATUS</topic><topic>TRANSPORTING</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Savenko Oleg Mikhajlovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Kuzin Aleksandr Gennadevich</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Savenko Oleg Mikhajlovich</au><au>Kuzin Aleksandr Gennadevich</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR FORMATION OF VOIDS IN IONIC CRYSTALS</title><date>2019-10-15</date><risdate>2019</risdate><abstract>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the use of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances, particularly a method of forming voids in KBr ion crystals. Method consists in fact that on surface of plate of crystal KBr of special purity is putting portion of Mg of special purity and placing plate in quartz tube, pumped to pressure 10÷10Pa, is heated to temperature T= 450÷520 °C, followed by annealing for a period of time τ= 5÷15 hours, followed by cooling to temperature T= 20÷22 °C and holding for τ= 2÷3 hours, then pulses of tensile stresses with amplitude of at least 50 MPa are generated in said diffusion regions Mg in said plates.EFFECT: technical result is formation of distribution of voids at a given depth of sample.1 cl, 1 dwg, 3 ex
Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr. Способ заключается в том, что на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10÷10Па, нагревают до температуры T=450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ=5÷15 часов, после чего проводят охлаждение до температуры Т=20÷22°С и выдержку в течение τ=2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа. Технический результат - формирование распределения пустот на заданном интервале глубин образца. 1 ил., 3 пр.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2703254C2 |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PERFORMING OPERATIONS PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH THEIR RELEVANT APPARATUS TRANSPORTING UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | METHOD FOR FORMATION OF VOIDS IN IONIC CRYSTALS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-29T07%3A40%3A42IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Savenko%20Oleg%20Mikhajlovich&rft.date=2019-10-15&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2703254C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |