METHOD FOR FORMATION OF VOIDS IN IONIC CRYSTALS

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the use of shock waves for chemical reactions or for modifying the crystal structure of substances, particularly a method of forming voids in KBr ion crystals. Method consists in fact that on surface of plate of crystal KBr of special purity is putting portion of Mg of special purity and placing plate in quartz tube, pumped to pressure 10÷10Pa, is heated to temperature T= 450÷520 °C, followed by annealing for a period of time τ= 5÷15 hours, followed by cooling to temperature T= 20÷22 °C and holding for τ= 2÷3 hours, then pulses of tensile stresses with amplitude of at least 50 MPa are generated in said diffusion regions Mg in said plates.EFFECT: technical result is formation of distribution of voids at a given depth of sample.1 cl, 1 dwg, 3 ex Изобретение относится к использованию ударных волн для проведения химических реакций или для модификации кристаллической структуры веществ, в частности к способу формирования пустот в ионных кристаллах KBr. Способ заключается в том, что на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10÷10Па, нагревают до температуры T=450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ=5÷15 часов, после чего проводят охлаждение до температуры Т=20÷22°С и выдержку в течение τ=2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа. Технический результат - формирование распределения пустот на заданном интервале глубин образца. 1 ил., 3 пр.