SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF MULTI-JUNCTION PHOTOCONVERTER

FIELD: electronic equipment.SUBSTANCE: invention relates to electronic engineering, specifically to semiconductor multi-junction photoelectric converters of powerful optical radiation with connecting tunnel diodes. Semiconductor structure of the multi-junction photoelectric converter comprises upper substructure (1), lower substructure (2) made, for example, of GaAs, which are interconnected by tunnel diode (3). Tunnel diode (3) comprises: heavily-alloyed p-type conductive layer (4) of AlGaAs, undoped layer (5) of GaAs with intrinsic conductivity of thickness 1-3 nm, heavily doped layer (6) of n-type conductivity of GaAs and layer (7) of n-type conductivity from AlGaAs.EFFECT: semiconductor structure of multi-junction photo converter has high density of peak tunnel current.6 cl, 2 dwg Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным фотоэлектрическим преобразователям мощного оптического излучения с соединительными туннельными диодами. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя содержит верхнюю субструктуру (1), нижнюю субструктуру (2), выполненные, например, из GaAs, сопряженные между собой туннельным диодом (3). Туннельный диод (3) содержит: сильнолегированный слой (4) р-типа проводимости из AlGaAs, нелегированный слой (5) из GaAs с собственной проводимостью толщиной 1-3 нм, сильнолегированный слой (6) n-типа проводимости из GaAs и слой (7) n-типа проводимости из AlGaAs. Полупроводниковая структура многопереходного фотопреобразователя имеет высокую плотность пикового туннельного тока. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.