TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE

FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention can be used to amplify electroluminescence of semiconductors. Essence of the invention is that a zinc oxide layer with maximum thickness of 200 nm, doped with aluminum ions in concentration of 3 to 4 mol percent and with layers of silver nanoparticles with maximum concentration of 1.25⋅10per cm, centres of nanoparticles are at distance of 110-130 nm from each other and form a three-dimensional lattice, nanoparticles have size of 38-42 nm, wherein amplification wavelength depends on molar concentration of aluminum n in ratio of wavelength in nanometers λ=530+40⋅(n-3).EFFECT: enabling amplification of electroluminescence of semiconductors emitting at wavelengths of 530-570 nm.1 cl Использование: для усиления электролюминесценции полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что слой оксида цинка с максимальной толщиной 200 нм, легированный ионами алюминия в концентрации от 3 до 4 молярных процентов и со слоями наночастиц серебра с максимальной концентрацией 1,25⋅10на см, центры наночастиц находятся на расстоянии 110-130 нм друг от друга и образуют трехмерную решетку, наночастицы имеют размеры 38-42 нм, причем длина волны усиления зависит от молярной концентрации алюминия n в соотношении длина волны в нанометрах λ=530+40⋅(n-3). Технический результат: обеспечение возможности усиления электролюминесценции полупроводников, излучающих на длинах волн 530-570 нм.