LASER SYSTEM AND EMITTING RADIATION METHOD
FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to laser equipment. Infrared (IR) laser system includes a pulse master oscillator equipped with assemblies of quasi-continuous or QCW-laser pumping diodes, and a power amplifier equipped with assemblies of continuous or CW-laser pumping diodes. In embodime...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to laser equipment. Infrared (IR) laser system includes a pulse master oscillator equipped with assemblies of quasi-continuous or QCW-laser pumping diodes, and a power amplifier equipped with assemblies of continuous or CW-laser pumping diodes. In embodiments of the invention, pumping of the active element of the power amplifier is performed by CW-laser diodes in continuous mode, and time interval t between pulses of the master oscillator is equal to or less than the effective life time τ upper laser level: t ≤ τ. Active elements of the laser system can contain base material doped with Tmions, or by ions Tmand No.EFFECT: technical result is enabling creation of laser systems with high pulse (2-5 kW) and average, 100 W and more, radiation power at wavelength selected in range of 1_85 - 2_1 mcm, intended, including, for laser surgery.15 cl, 5 dwg
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерная система инфракрасного (ИК) диапазона включает в себя импульсный задающий генератор, снабженный сборками квазинепрерывных или QCW-лазерных диодов накачки, и усилитель мощности, снабжённый сборками непрерывных или CW-лазерных диодов накачки. В вариантах изобретения накачка активного элемента усилителя мощности осуществляется CW-лазерными диодами в непрерывном режиме, а временной интервал t между импульсами задающего генератора равен или меньше эффективного времени жизни τ верхнего лазерного уровня: t ≤ τ. Активные элементы лазерной системы могут содержать базовый материал, легированный ионами Tm, либо ионами Tmи Но. Технический результат заключается в обеспечении возможности создания лазерных систем с высокими импульсной (2-5 кВт) и средней, 100 Вт и более, мощностью излучения на длине волны, выбираемой в диапазоне 1,85 - 2,1 мкм, предназначенных, в том числе, для лазерной хирургии. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 5 ил. |
---|