METHOD OF PRODUCING THROUGH MICROHOLES IN A SILICON SUBSTRATE

FIELD: microelectronics.SUBSTANCE: invention relates to the field of microelectronics technology and can be used in making 3D devices of microsystem equipment, for example micro injectors, micromotors, and namely when obtaining through microholes in a silicon substrate. Method of producing through m...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Zhukov Andrej Aleksandrovich, Zapetlyaev Valentin Mikhajlovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: microelectronics.SUBSTANCE: invention relates to the field of microelectronics technology and can be used in making 3D devices of microsystem equipment, for example micro injectors, micromotors, and namely when obtaining through microholes in a silicon substrate. Method of producing through microholes in a silicon substrate involves forming on the substrate surface an aluminum mask for etching by photolithography, formation of "stop-layer" on the back side of the substrate based on the solid polyimide coating from the solution of polyamide acid based on dianhydride and oxydianiline in a polar solvent with subsequent drying and imidisation, carrying out "dry" etching through the aluminum mask in the Bosch process, removing the mask and "stop-layer", note here that, before formation of polyimide coating on reverse side, formation of continuous optically transparent metal coating is performed.EFFECT: providing vertical walls of microhole walls along their entire length.6 cl, 4 dwg Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении 3D-устройств микросистемной техники, например микроинжекторов, микродвигателей, а именно при получении сквозных микроотверстий в кремниевой подложке. Способ изготовления сквозных микроотверстий в кремниевой подложке включает формирование на поверхности подложки алюминиевой маски под травление методом фотолитографии, формирование «стоп-слоя» на обратной стороне подложки на основе сплошного полиимидного покрытия из раствора полиамидокислоты на основе диангидрида и оксидианилина в полярном растворителе с последующей сушкой и имидизацией, проведение «сухого» травления через маску алюминия в Бош-процессе, удаление маски и «стоп-слоя», при этом перед формированием на обратной стороне подложки полиимидного покрытия проводят формирование сплошного оптически прозрачного металлического покрытия. Обеспечивается вертикальность стенок микроотверстий по всей их длине. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.